Исследование эффектов имплантации больших доз ионов в монокристаллах GaAs и SiC: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Суворов, А. В. |
Опубликовано: | Л. , 1986 |
Физические характеристики: |
17 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr31573130000 | ||
005 | 20070629164707.0 | ||
100 | # | # | $a 20070629d1986 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Исследование эффектов имплантации больших доз ионов в монокристаллах GaAs и SiC $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе |
210 | # | # | $a Л. $d 1986 |
215 | # | # | $a 17 с. |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 15-17 (21 назв.). Для служеб. пользования |
686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Суворов $b А. В. $g Александр Владимирович |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070629 $g psbo |