Исследование изменении дислокационной структуры электрофизических свойств при пластической деформации кристаллов GaAs и JnSb: Автореферат дисс. на соискание учен. степени канд. техн. наук / Гос. науч.-исслед. и проектный ин-т редкометалл. пром-сти
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Соллертинская, Е. С. |
| Опубликовано: | М. , 1967 |
| Физические характеристики: |
22 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr31130660000 | ||
| 005 | 20070621145142.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [67-15061] |
| 100 | # | # | $a 20070621d1967 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Исследование изменении дислокационной структуры электрофизических свойств при пластической деформации кристаллов GaAs и JnSb $e Автореферат дисс. на соискание учен. степени канд. техн. наук $f Гос. науч.-исслед. и проектный ин-т редкометалл. пром-сти |
| 210 | # | # | $a М. $d 1967 |
| 215 | # | # | $a 22 с. |
| 700 | # | 1 | $a Соллертинская $b Е. С. |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070621 $g psbo |