Электронно-зондовые исследования нелегированных эпитаксиальных слоев GaAs и структур на их основе: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Соболев, М. М. |
Опубликовано: | Л. , 1984 |
Физические характеристики: |
18 с.
|
Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|