Электронно-зондовые исследования нелегированных эпитаксиальных слоев GaAs и структур на их основе: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ505632,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Соболев, М. М.
Опубликовано: Л. , 1984
Физические характеристики: 18 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr31027160000
005 20070621143421.0
021 # # $a RU  $b [84-16817а] 
100 # # $a 20070621d1984 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Электронно-зондовые исследования нелегированных эпитаксиальных слоев GaAs и структур на их основе  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук 
210 # # $a Л.  $d 1984 
215 # # $a 18 с. 
300 # # $a В надзаг.: АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. Библиогр.: с. 16-18 (15 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Соболев  $b М. М.  $g Михаил Михайлович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070621  $g psbo