Электронно-зондовые исследования нелегированных эпитаксиальных слоев GaAs и структур на их основе: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Соболев, М. М. |
Опубликовано: | Л. , 1984 |
Физические характеристики: |
18 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr31027160000 | ||
005 | 20070621143421.0 | ||
021 | # | # | $a RU $b [84-16817а] |
100 | # | # | $a 20070621d1984 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Электронно-зондовые исследования нелегированных эпитаксиальных слоев GaAs и структур на их основе $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук |
210 | # | # | $a Л. $d 1984 |
215 | # | # | $a 18 с. |
300 | # | # | $a В надзаг.: АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. Библиогр.: с. 16-18 (15 назв.) |
686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Соболев $b М. М. $g Михаил Михайлович |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070621 $g psbo |