Фотоэлектрические свойства полупроводникового алмаза: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН СССР, Ин-т радиотехники и электрон.
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Смирнова, О. И. |
| Опубликовано: | М. , 1987 |
| Физические характеристики: |
22 с. : граф.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr30967170000 | ||
| 005 | 20070622194111.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [87-13580а] |
| 100 | # | # | $a 20070622d1987 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Фотоэлектрические свойства полупроводникового алмаза $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $f АН СССР, Ин-т радиотехники и электрон. |
| 210 | # | # | $a М. $d 1987 |
| 215 | # | # | $a 22 с. $c граф. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 20-22 (13 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Смирнова $b О. И. $g Ольга Ивановна |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070622 $g psbo |