Фотоэлектрические и фотомагнитные свойства антимонида индия, легированного переходными элементами: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук

Сохранено в:
Шифр документа: 20140/86,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Сиповская, М. А.
Опубликовано: Л. , 1985
Физические характеристики: 20 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr30717090000
005 20070619185039.0
021 # # $a RU  $b [85-27390а] 
100 # # $a 20070619d1985 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Фотоэлектрические и фотомагнитные свойства антимонида индия, легированного переходными элементами  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук 
210 # # $a Л.  $d 1985 
215 # # $a 20 с. 
300 # # $a В надзаг.: АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. Библиогр.: с. 18-20 (14 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Сиповская  $b М. А.  $g Маргарита Альбертовна 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070619  $g psbo