Фотоэлектрические свойства материалов для быстродействующих примесных фотоприемников на основе Si и Ge: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Синис, В. П. |
| Опубликовано: | М. , 1986 |
| Физические характеристики: |
18 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr30697140000 | ||
| 005 | 20070615125044.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [86-1949а] |
| 100 | # | # | $a 20070615d1986 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Фотоэлектрические свойства материалов для быстродействующих примесных фотоприемников на основе Si и Ge $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук |
| 210 | # | # | $a М. $d 1986 |
| 215 | # | # | $a 18 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: АН СССР, Ин-т радиотехники и электрон. Библиогр.: с. 17-18 (12 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Синис $b В. П. $g Валерий Павлович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070615 $g psbo |