Тепловое расширение полупроводниковых кристаллов при наличии дефектов: (01.04.07): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / Ленингр. гос. пед. ин-т им. А. И. Герцена

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ215683,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Сергеев, В. П.
Опубликовано: Л. , 1973
Физические характеристики: 19 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr30494570000
005 20070615120309.0
021 # # $a RU  $b [73-15169а] 
100 # # $a 20070615d1973 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Тепловое расширение полупроводниковых кристаллов при наличии дефектов  $e (01.04.07)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук  $f Ленингр. гос. пед. ин-т им. А. И. Герцена 
210 # # $a Л.  $d 1973 
215 # # $a 19 с. 
300 # # $a Список лит.: с. 19 (11 назв.) 
686 # # $a 01.04.07  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Сергеев  $b В. П.  $g Вадим Петрович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070615  $g psbo