Упругие свойства слоистых полупроводников TlInS₂ и TlGaSe₂ вблизи структурных фазовых переходов: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН Азерб. респ., Ин-т физики

Сохранено в:
Шифр документа: 179615/92,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Сеидов Мир-Гасан Юнис оглы
Опубликовано: Баку , 1992
Физические характеристики: 26 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr30354840000
005 20070612192332.0
100 # # $a 20070612d1992 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a AZ 
200 1 # $a Упругие свойства слоистых полупроводников TlInS₂ и TlGaSe₂ вблизи структурных фазовых переходов  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10)  $f АН Азерб. респ., Ин-т физики 
210 # # $a Баку  $d 1992 
215 # # $a 26 с. 
300 # # $a Библиогр: с. 25-26 (7 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Сеидов Мир-Гасан Юнис оглы 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070612  $g psbo