"О системах Si-SiO₂ и Ge-GeO₂"
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Свиташева, К. К. |
| Опубликовано: | Новосибирск , 1972 |
| Физические характеристики: |
10 с.
|
| Язык: | Русский |
| Серия: |
Физическая химия поверхности монокристаллических полупроводников. 2-6 окт. 1972 г. Препринт доклада
|
| 00000nam0a22000001ib4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr30311840000 | ||
| 005 | 20070612195029.0 | ||
| 010 | # | # | $d Беспл. |
| 021 | # | # | $a RU $b [72-67292] |
| 100 | # | # | $a 20070612d1972 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a "О системах Si-SiO₂ и Ge-GeO₂" |
| 210 | # | # | $a Новосибирск $d 1972 |
| 215 | # | # | $a 10 с. |
| 225 | 2 | # | $a Физическая химия поверхности монокристаллических полупроводников. 2-6 окт. 1972 г. Препринт доклада $f Ин-т физики полупроводников Сиб. отд-ния АН СССР. Всесоюз. семинар |
| 300 | # | # | $a Список лит.: с. 9-10 (15 назв.) |
| 345 | # | # | $9 120 экз. |
| 675 | # | # | $a 537.311.322 |
| 700 | # | 1 | $a Свиташева $b К. К. |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070612 $g psbo |