Podobne zapisy

• Создание туннельных диодных структур на основе GaSb и Ga{н.инд.}(1-x)In{н.инд.}(x)Sb и исследование их электрофизических свойств в области малых объмных деформаций: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Вильнюс. гос. ун-т им. В. Капсукаса. - Вильнюс, 1986. - 16 с.
  od: Антанавичюс, Р. П.
  Wydane: (1986)
• Исследование процессов излучательной рекомбинации в гетеропереходах GaAs-Al{н.инд.}(x)Ga{н.инд.}(1-x)As-Al{н.инд.}(y)Ga{н.инд.}(1-y)As и разработка конструкций инжекционных излучателей на их основе: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / АН СССР. Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Л., 1975. - 21 с.
  od: Мхеидзе, Т. Д.
  Wydane: (1975)
• Исследование электрофизических, фотоэлектрических свойств и рекомбинационных процессов в кристаллах InAs, In{н.инд.}(1-x)Ga{н.инд.}(x)As, InAs{н.инд.}(1-x-y)Sb{н.инд.}(х)Р{н.инд.}(y) и диодных структурах на основе InAs{н.инд.}(1-x-y)Sb{н.инд.}(х)Р{н.инд.}(y) [[Микроформа]]: Дис. ... канд. физ.-мат. наук: Утв. 07.09.88: (01.04.10). - Л. : Казань, 1987. - 179 с.
  od: Салихов, Х. М.
  Wydane: (1987)