Podobne zapisy

• Исследование условий низкотемпературной эпитаксии твердых растворов Si{н.инд.}(1-x)Ge, (Gl₂){н.инд.}(x)(GaAs){н.инд.}(1-x) и Si-Si{н.инд.}(1-x)Gl{н.инд.}(x)-GaAs(0≤ X Si) структур из раствора-расплава [[Микроформа]]: Дис. ... физ.-мат. наук: (01.04.10). - Ташкент, 1990. - 131 с.
  od: Сапаев, Б.
  Wydane: (1990)
• Исследование условий роста и свойств эпитаксиальных слоев Si, Si{н.инд.}(1-x)Ge{н.инд.}(x), GaP и GaAs, выращенных на Si из жидкой фазы: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН УзССР, Физ.-техн. ин-т им. С. В. Стародубцева. - Ташкент, 1984. - 21 с.
  od: Дадамухамедов, С.
  Wydane: (1984)
• Получение твердых растворов In{н.инд.}(1-x)Al{н.инд.}(x)Sb, тонкопленочных структур на основе Ga{н.инд.}(1-x)Al{н.инд.}(x)As-GaAs-Ge и исследование их свойств для преобразователей солнечной энергии: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук. - Ашхабад, 1982. - 17 с.
  od: Акмурадов, А.
  Wydane: (1982)