|
|
|
|
|
00000cam0a22000001ia4500 |
001 |
BY-NLB-rr30161700000 |
005 |
20240620110835.0 |
100 |
# |
# |
$a 20070612d1990 y0rusy50 ||||ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
102 |
# |
# |
$a TM
|
200 |
1 |
# |
$a Исследование условий низкотемпературной эпитаксии твердых растворов Si{н.инд.}(1-x)Ge{н.инд.}(x), (Ge2){н.инд.}(x) (GaAs){н.инд.}(1-x) и Si-Si{н.инд.}(1-x)Ge{н.инд.}(x)-GaAs (0≤X≤1) структур из раствора-расплава
$e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
$e (01.04.10)
$f АН ТССР, Физ.-техн. ин-т
|
210 |
# |
# |
$a Ашхабад
$d 1990
|
215 |
# |
# |
$a 20 с.
|
300 |
# |
# |
$a Библиогр.: с. 20 (14 назв.). Для служеб. пользования
|
686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
700 |
# |
1 |
$a Сапаев
$b Б.
$g Байрамдурды
|
801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20070612
$g psbo
|