Исследование условий низкотемпературной эпитаксии твердых растворов Si{н.инд.}(1-x)Ge{н.инд.}(x), (Ge2){н.инд.}(x) (GaAs){н.инд.}(1-x) и Si-Si{н.инд.}(1-x)Ge{н.инд.}(x)-GaAs (0≤X≤1) структур из раствора-расплава: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН ТССР, Физ.-техн. ин-т

Сохранено в:
Шифр документа: 121732/90СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Сапаев, Б.
Опубликовано: Ашхабад , 1990
Физические характеристики: 20 с.
Язык: Русский
00000cam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr30161700000
005 20240620110835.0
100 # # $a 20070612d1990 y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a TM 
200 1 # $a Исследование условий низкотемпературной эпитаксии твердых растворов Si{н.инд.}(1-x)Ge{н.инд.}(x), (Ge2){н.инд.}(x) (GaAs){н.инд.}(1-x) и Si-Si{н.инд.}(1-x)Ge{н.инд.}(x)-GaAs (0≤X≤1) структур из раствора-расплава  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10)  $f АН ТССР, Физ.-техн. ин-т 
210 # # $a Ашхабад  $d 1990 
215 # # $a 20 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 20 (14 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Сапаев  $b Б.  $g Байрамдурды 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070612  $g psbo