Поведение и состояние глубоких центров в широкозонных полупроводниках A³B5: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук: (01.04.10) / Ленингр. политехн. ин-т им. М. И. Калинина
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Саморуков, Б. Е. |
Опубликовано: | Л. , 1986 |
Физические характеристики: |
35 с.
|
Язык: | Русский |
00000cam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr30120240000 | ||
005 | 20220311151047.0 | ||
100 | # | # | $a 20070619d1986 y0rusy50 ||||ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Поведение и состояние глубоких центров в широкозонных полупроводниках A³B5 $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f Ленингр. политехн. ин-т им. М. И. Калинина |
210 | # | # | $a Л. $d 1986 |
215 | # | # | $a 35 с. |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 29-35 (71 назв.). Для служеб. пользования |
686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Саморуков $b Б. Е. $g Борис Егорович |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070619 $g psbo |