Особенности получения полуизолирующих слоев GaAs Cr, Al{н.инд.}(x)Ga{н.инд.}(1-x)As Cr методом жидкофазной эпитаксии и исследование фоточувствительных структур на их основе: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН ТССР, Физ.-техн. ин-т
Gespeichert in:
| Format: | |
|---|---|
| 1. Verfasser: | Садаев, Б. |
| Veröffentlicht: | Ашхабад , 1990 |
| Beschreibung: |
20 с.
|
| Sprache: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Verfügbar Bestellen | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||