Особенности получения полуизолирующих слоев GaAs Cr, Al{н.инд.}(x)Ga{н.инд.}(1-x)As Cr методом жидкофазной эпитаксии и исследование фоточувствительных структур на их основе: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН ТССР, Физ.-техн. ин-т
Захавана ў:
| Тып дакумента: | |
|---|---|
| Аўтар: | Садаев, Б. |
| Апублікавана: | Ашхабад , 1990 |
| Фізіч. характарыстыкі: |
20 с.
|
| Мова: | Руская |
ОФХ отдела книгохранения
| Усяго : 1 , даступна: 1 | Даступна Замовіць | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||