Схожие документы

• Особенности получения полуизолирующих слоев GaAs<Cr>, Al{н.инд.}(x) Ga{н.инд.}(1-x), As<Cr> методом жидкофазной эпитаксии и исследование фоточувствительных структур на их основе [[Микроформа]]: Дис. ... канд. физ.-мат. наук: (01.04.10). - Ташкент, 1989. - 205 с.
  Автор: Садаев, Б.
  Опубликовано: (1989)
• Создание и исследование структур на основе слаболегированного GaAs и твердых растворов Al{н.инд.}(x)Ga{н.инд.}(1-x)As: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Л., 1989. - 17 с.
  Автор: Сеель, Е. Р.
  Опубликовано: (1989)
• Получение слоев GaAs{н.инд.}(1-х)Р{н.инд.}(x) и гетеропереходов GaAs{н.инд.}(1-х)Р{н.инд.}(x)-GaAš методом жидкостной эпитаксии и исследование их электрических и фотоэлектрических свойств: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / АН АзССР. Ин-т физики. - Баку, 1975. - 19 с.
  Автор: Оуш, П. Т.
  Опубликовано: (1975)