Особенности получения полуизолирующих слоев GaAs Cr, Al{н.инд.}(x)Ga{н.инд.}(1-x)As Cr методом жидкофазной эпитаксии и исследование фоточувствительных структур на их основе: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН ТССР, Физ.-техн. ин-т
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Садаев, Б. |
| Опубликовано: | Ашхабад , 1990 |
| Физические характеристики: |
20 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr29991700000 | ||
| 005 | 20070612172819.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [91-1855а] |
| 100 | # | # | $a 20070612d1990 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a TM |
| 200 | 1 | # | $a Особенности получения полуизолирующих слоев GaAs Cr, Al{н.инд.}(x)Ga{н.инд.}(1-x)As Cr методом жидкофазной эпитаксии и исследование фоточувствительных структур на их основе $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $f АН ТССР, Физ.-техн. ин-т |
| 210 | # | # | $a Ашхабад $d 1990 |
| 215 | # | # | $a 20 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 19-20 |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Садаев $b Б. $g Бури |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070612 $g psbo |