Дефекты и проводимость ионно-имплантированного аморфного кремния: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Рязанцев, И. А. |
| Опубликовано: | Новосибирск , 1984 |
| Физические характеристики: |
20 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr29889800000 | ||
| 005 | 20070611175514.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070611d1984 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Дефекты и проводимость ионно-имплантированного аморфного кремния $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) |
| 210 | # | # | $a Новосибирск $d 1984 |
| 215 | # | # | $a 20 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: АН СССР, Ин-т физики полупроводников СО АН СССР. Библиогр.: с. 18-20 (17; 6 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Рязанцев $b И. А. $g Иван Александрович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070611 $g psbo |