Моделирование пространственно неоднородных процессов переноса носителей заряда в распределенных транзисторных и диодных структурах: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Горьк. гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского

Сохранено в:
Шифр документа: 12159/86СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Романенко, А. В.
Опубликовано: Горький , 1986
Физические характеристики: 22 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr29572230000
005 20070606192546.0
100 # # $a 20070606d1986 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Моделирование пространственно неоднородных процессов переноса носителей заряда в распределенных транзисторных и диодных структурах  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10)  $f Горьк. гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского 
210 # # $a Горький  $d 1986 
215 # # $a 22 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 20-22 (17 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Романенко  $b А. В.  $g Александр Викторович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070606  $g psbo