Моделирование пространственно неоднородных процессов переноса носителей заряда в распределенных транзисторных и диодных структурах: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Горьк. гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Романенко, А. В. |
Опубликовано: | Горький , 1986 |
Физические характеристики: |
22 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr29572230000 | ||
005 | 20070606192546.0 | ||
100 | # | # | $a 20070606d1986 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Моделирование пространственно неоднородных процессов переноса носителей заряда в распределенных транзисторных и диодных структурах $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f Горьк. гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского |
210 | # | # | $a Горький $d 1986 |
215 | # | # | $a 22 с. |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 20-22 (17 назв.). Для служеб. пользования |
686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Романенко $b А. В. $g Александр Викторович |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070606 $g psbo |