Численное моделирование биполярных полупроводниковых структур с учетом эффектов сильного легирования: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников

Сохранено в:
Шифр документа: 27569/86,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Римшан, Я. С.
Опубликовано: Новосибирск , 1986
Физические характеристики: 17 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr29430930000
005 20070606150951.0
021 # # $a RU  $b [86-4094а] 
100 # # $a 20070606d1986 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Численное моделирование биполярных полупроводниковых структур с учетом эффектов сильного легирования  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $f АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников 
210 # # $a Новосибирск  $d 1986 
215 # # $a 17 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 16-17 (11 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Римшан  $b Я. С.  $g Янис Станиславович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070606  $g psbo