Структура и параметры глубоких центров прилипания и рекомбинации в полупроводниках: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Ризаханов, М. А. |
| Опубликовано: | Вильнюс , 1982 |
| Физические характеристики: |
34 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr29424470000 | ||
| 005 | 20070606160504.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070606d1982 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a LT |
| 200 | 1 | # | $a Структура и параметры глубоких центров прилипания и рекомбинации в полупроводниках $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук $e (01.04.10) |
| 210 | # | # | $a Вильнюс $d 1982 |
| 215 | # | # | $a 34 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: Вильнюс. гос. ун-т им. В. Капсукаса. Библиогр.: с. 28-31 (32 назв.) |
| 675 | # | # | $a 621.315.592 |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Ризаханов $b М. А. $g Магомед Ахмедпашаевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070606 $g psbo |