Люминесценция полупроводниковых соединений A³B5 и A²B6, ионно-имплантированных редкоземельными и переходными элементами: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН СССР, Физ. ин-т им. П. Н. Лебедева

Сохранено в:
Шифр документа: 86872/88,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Рзакулиев, Н. А.
Опубликовано: М. , 1988
Физические характеристики: 17 с.
Язык: Русский
00000cam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr29413920000
005 20230629100018.0
021 # # $a RU  $b [88-20537а] 
100 # # $a 20070606d1988 y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Люминесценция полупроводниковых соединений A³B5 и A²B6, ионно-имплантированных редкоземельными и переходными элементами  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $f АН СССР, Физ. ин-т им. П. Н. Лебедева 
210 # # $a М.  $d 1988 
215 # # $a 17 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 16-17 (7 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Рзакулиев  $b Н. А.  $g Нариман Агавагаб оглы 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070606  $g psbo