Исследование влияния структурных дефектов на электрические параметры эпитаксиально-планарных диффузионных кремниевых p-n переходов: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Рзаев, С. Г. |
| Опубликовано: | Баку , 1980 |
| Физические характеристики: |
23 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr29413260000 | ||
| 005 | 20070606150000.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070606d1980 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a AZ |
| 200 | 1 | # | $a Исследование влияния структурных дефектов на электрические параметры эпитаксиально-планарных диффузионных кремниевых p-n переходов $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) |
| 210 | # | # | $a Баку $d 1980 |
| 215 | # | # | $a 23 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: АН Аз ССР. Ин-т физики. Библиогр.: с. 22-23 (7 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Рзаев $b С. Г. $g Салман Гадималы оглы |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070606 $g psbo |