|
|
|
|
|
00000cam0a22000001ib4500 |
| 001 |
BY-NLB-rr29348940000 |
| 005 |
20140418135617.0 |
| 010 |
# |
# |
$b В пер.
$d 3 р. 30 к.
|
| 021 |
# |
# |
$a RU
$b [84-82107]
|
| 100 |
# |
# |
$a 20070606d1984 y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 200 |
1 |
# |
$a Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии
$f Пер. с англ. В. В. Высоцкой и др.; Под ред. С. Н. Горина
|
| 210 |
# |
# |
$a М.
$c Мир
$d 1984
|
| 215 |
# |
# |
$a 472 с.
$c ил.
$d 22 см
|
| 300 |
# |
# |
$a Перевод изд.: Jmperfections and impurities in semiconductor silicon / K-V. Ravi (New York etc., 1981). Библиогр.: с. 6 (16 назв.), 425-454. Предм. указ.: с. 455-471
|
| 345 |
# |
# |
$9 3300 экз.
|
| 610 |
0 |
# |
$a Кремний - Производство
|
| 610 |
0 |
# |
$a Кремний - Электрические свойства - Влияние примесей
|
| 675 |
# |
# |
$a 537.311.322:548.4
|
| 700 |
# |
1 |
$a Рейви
$b К. В.
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20070606
$g psbo
|
