Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов GaTe-Ge(Sn, Bi)Te и Ga₂(In₂)Te₃-Sb₂(Bi₂)Te₃: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Рагимов, Ф. Д. |
Опубликовано: | Ашхабад , 1983 |
Физические характеристики: |
20 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr29133150000 | ||
005 | 20070604161209.0 | ||
100 | # | # | $a 20070604d1983 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a TM |
200 | 1 | # | $a Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов GaTe-Ge(Sn, Bi)Te и Ga₂(In₂)Te₃-Sb₂(Bi₂)Te₃ $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) |
210 | # | # | $a Ашхабад $d 1983 |
215 | # | # | $a 20 с. |
300 | # | # | $a В надзаг.: АН ТССР, Физ.-техн. ин-т. Библиогр.: с. 20 (9 назв.) |
675 | # | # | $a 621.315.592 |
686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Рагимов $b Ф. Д. $g Физули Джафар оглы |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070604 $g psbo |