Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов GaTe-Ge(Sn, Bi)Te и Ga₂(In₂)Te₃-Sb₂(Bi₂)Te₃: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ474280,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Рагимов, Ф. Д.
Опубликовано: Ашхабад , 1983
Физические характеристики: 20 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr29133150000
005 20070604161209.0
100 # # $a 20070604d1983 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a TM 
200 1 # $a Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов GaTe-Ge(Sn, Bi)Te и Ga₂(In₂)Te₃-Sb₂(Bi₂)Te₃  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10) 
210 # # $a Ашхабад  $d 1983 
215 # # $a 20 с. 
300 # # $a В надзаг.: АН ТССР, Физ.-техн. ин-т. Библиогр.: с. 20 (9 назв.) 
675 # # $a 621.315.592 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Рагимов  $b Ф. Д.  $g Физули Джафар оглы 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070604  $g psbo