Влияние ионной имплантации и отжига на электрофизические свойства InP и GaAS: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН МССР, Ин-т приклад. физики
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Пышная, Н. Б. |
| Опубликовано: | Кишинев , 1989 |
| Физические характеристики: |
16 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr29094160000 | ||
| 005 | 20070530154244.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070530d1989 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a MD |
| 200 | 1 | # | $a Влияние ионной имплантации и отжига на электрофизические свойства InP и GaAS $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f АН МССР, Ин-т приклад. физики |
| 210 | # | # | $a Кишинев $d 1989 |
| 215 | # | # | $a 16 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 14-16 (15 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Пышная $b Н. Б. $g Наталья Борисовна |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070530 $g psbo |