Разработка технологии и исследование фоточувствительных структур в системе Ga-Al-As со встроенным потенциальным барьером: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН СССР, физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Пулатов, А. А. |
| Опубликовано: | Л. , 1988 |
| Физические характеристики: |
17 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr29009530000 | ||
| 005 | 20070530130753.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070530d1988 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Разработка технологии и исследование фоточувствительных структур в системе Ga-Al-As со встроенным потенциальным барьером $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f АН СССР, физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе |
| 210 | # | # | $a Л. $d 1988 |
| 215 | # | # | $a 17 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 16-17 (12 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Пулатов $b А. А. $g Анварбек Абдуллаевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070530 $g psbo |