Получение и исследование гетероэпитаксиальных структур в системе AlAs-GaAs, включающих слой AlxGai-xAs переменного вдоль поверхности состава: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ431695,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Пронина, Н. В.
Опубликовано: Л. , 1982
Физические характеристики: 22 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr28925010000
005 20070530124633.0
021 # # $a RU  $b [82-16722а] 
100 # # $a 20070530d1982 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Получение и исследование гетероэпитаксиальных структур в системе AlAs-GaAs, включающих слой AlxGai-xAs переменного вдоль поверхности состава  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук 
210 # # $a Л.  $d 1982 
215 # # $a 22 с. 
300 # # $a В надзаг.: АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. Библиогр.: с. 21-22 (6 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Пронина  $b Н. В.  $g Наталья Владимировна 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070530  $g psbo