Твердофазное легирование полупроводников под действием непрерывного лазерного излучения: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / Ужгор. гос. ун-т
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Похмурская, А. В. |
| Опубликовано: | Ужгород , 1991 |
| Физические характеристики: |
14 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr28812790000 | ||
| 005 | 20070529183808.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [92-2745а] |
| 100 | # | # | $a 20070529d1991 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Твердофазное легирование полупроводников под действием непрерывного лазерного излучения $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $f Ужгор. гос. ун-т |
| 210 | # | # | $a Ужгород $d 1991 |
| 215 | # | # | $a 14 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 13-14 (15 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Похмурская $b А. В. $g Анна Васильевна |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070529 $g psbo |