Структура энергетических зон некоторых полупроводников типа A²B⁴C₂⁵ и A¹B³C₂⁶ с решеткой халькопирита: Автореф. дис. на соискание учен. степени канд. физ.-мат. наук: (01.046) / Томский гос. ун-т им. В. В. Куйбышева
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Полыгалов, Ю. И. |
| Опубликовано: | Томск , 1971 |
| Физические характеристики: |
14 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr28570380000 | ||
| 005 | 20070529151457.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070529d1971 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Структура энергетических зон некоторых полупроводников типа A²B⁴C₂⁵ и A¹B³C₂⁶ с решеткой халькопирита $e Автореф. дис. на соискание учен. степени канд. физ.-мат. наук $e (01.046) $f Томский гос. ун-т им. В. В. Куйбышева |
| 210 | # | # | $a Томск $d 1971 |
| 215 | # | # | $a 14 с. |
| 300 | # | # | $a Список лит.: с. 13-14 (31 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.046 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Полыгалов $b Ю. И. |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070529 $g psbo |