Аннигиляция позитронов в полупроводниковых кристаллах, подвергнутых воздействию мощных потоков излучения: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.07) / Том. гос. ун-т им. Куйбышева
Zapisane w:
| Format: | |
|---|---|
| 1. autor: | Погребняк, А. Д. |
| Wydane: | Томск , 1984 |
| Opis fizyczny: |
20 с.
|
| Język: | rosyjski |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Dostępne Zamów | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||