Аннигиляция позитронов в полупроводниковых кристаллах, подвергнутых воздействию мощных потоков излучения: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.07) / Том. гос. ун-т им. Куйбышева
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Погребняк, А. Д. |
| Опубликовано: | Томск , 1984 |
| Физические характеристики: |
20 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||