Аннигиляция позитронов в полупроводниковых кристаллах, подвергнутых воздействию мощных потоков излучения: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.07) / Том. гос. ун-т им. Куйбышева

Сохранено в:
Шифр документа: 8855/86СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Погребняк, А. Д.
Опубликовано: Томск , 1984
Физические характеристики: 20 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr28423600000
005 20070529143459.0
100 # # $a 20070529d1984 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Аннигиляция позитронов в полупроводниковых кристаллах, подвергнутых воздействию мощных потоков излучения  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.07)  $f Том. гос. ун-т им. Куйбышева 
210 # # $a Томск  $d 1984 
215 # # $a 20 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 19-20 (20 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 01.04.07  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Погребняк  $b А. Д.  $g Александр Дмитриевич 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070529  $g psbo