Аннигиляция позитронов в полупроводниковых кристаллах, подвергнутых воздействию мощных потоков излучения: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.07) / Том. гос. ун-т им. Куйбышева
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Погребняк, А. Д. |
Опубликовано: | Томск , 1984 |
Физические характеристики: |
20 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr28423600000 | ||
005 | 20070529143459.0 | ||
100 | # | # | $a 20070529d1984 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Аннигиляция позитронов в полупроводниковых кристаллах, подвергнутых воздействию мощных потоков излучения $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.07) $f Том. гос. ун-т им. Куйбышева |
210 | # | # | $a Томск $d 1984 |
215 | # | # | $a 20 с. |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 19-20 (20 назв.). Для служеб. пользования |
686 | # | # | $a 01.04.07 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Погребняк $b А. Д. $g Александр Дмитриевич |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070529 $g psbo |