Исследование дефектной структуры InSb и GaAs, возникающей при ионном внедрении и постимплантационном отжиге: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Питиримова, Е. А. |
| Опубликовано: | М. , 1983 |
| Физические характеристики: |
17 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr28315000000 | ||
| 005 | 20070525142202.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070525d1983 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Исследование дефектной структуры InSb и GaAs, возникающей при ионном внедрении и постимплантационном отжиге $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) |
| 210 | # | # | $a М. $d 1983 |
| 215 | # | # | $a 17 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: Моск. ин-т электрон. техники. Библиогр.: с. 15-17 (17 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Питиримова $b Е. А. $g Елена Алексеевна |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070525 $g psbo |