Разработка и исследование высоковольтных фотопреобразователей на основе гетероэпитаксиальнои системы Al{н.инд.}(χ)Ga{н.инд.}(1-χ)As-GaAs: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Пинов, А. Б. |
Опубликовано: | Ашхабад , 1981 |
Физические характеристики: |
19 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr28272270000 | ||
005 | 20070525155636.0 | ||
021 | # | # | $a RU $b [80-2990а] |
100 | # | # | $a 20070525d1981 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a TM |
200 | 1 | # | $a Разработка и исследование высоковольтных фотопреобразователей на основе гетероэпитаксиальнои системы Al{н.инд.}(χ)Ga{н.инд.}(1-χ)As-GaAs $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук |
210 | # | # | $a Ашхабад $d 1981 |
215 | # | # | $a 19 с. |
300 | # | # | $a В надзаг.: АН ТССР, Физ.-техн. ин-т. Библиогр. в конце текста (5 назв.) |
686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Пинов $b А. Б. $g Ахсарбек Борисович |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070525 $g psbo |