Теоретическое исследование экситонных и биэкситонных полос поглощения и люминесценции в полупроводниках при больших уровнях возбуждения: (01.04.02): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / АН МССР. Ин-т прикладной физики
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Петрашку, К. Г. |
Опубликовано: | Кишинев , 1977 |
Физические характеристики: |
20 с. : граф.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr28100700000 | ||
005 | 20070522173950.0 | ||
021 | # | # | $a RU $b [77-4906а] |
100 | # | # | $a 20070522d1977 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a MD |
200 | 1 | # | $a Теоретическое исследование экситонных и биэкситонных полос поглощения и люминесценции в полупроводниках при больших уровнях возбуждения $e (01.04.02) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук $f АН МССР. Ин-т прикладной физики |
210 | # | # | $a Кишинев $d 1977 |
215 | # | # | $a 20 с. $c граф. |
300 | # | # | $a Список работ авт.: с. 19 (16 назв.) |
686 | # | # | $a 01.04.02 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Петрашку $b К. Г. $g Константин Григорьевич |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070522 $g psbo |