Разработка низкотемпературных, не вносящих радиационные дефекты, процессов осаждения диэлектрических слоев в реакторе с групповой обработкой пластин: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.27.06) / Моск. ин-т электрон. техники

Сохранено в:
Шифр документа: 112601/90СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Патюков, С. И.
Опубликовано: М. , 1990
Физические характеристики: 21 с.
Язык: Русский
00000cam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr27934240000
005 20110309110933.0
100 # # $a 20070522d1990 y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Разработка низкотемпературных, не вносящих радиационные дефекты, процессов осаждения диэлектрических слоев в реакторе с групповой обработкой пластин  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук  $e (05.27.06)  $f Моск. ин-т электрон. техники 
210 # # $a М.  $d 1990 
215 # # $a 21 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 20-21 (15 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 05.27.06  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Патюков  $b С. И.  $g Сергей Иванович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070522  $g psbo