Исследование процессов прилипания носителей тока и кинетики примесной фотопроводимости, полупроводников: Автореферат дисс. на соискание учен. степени кандидата физ.-мат. наук / Акад. наук СССР. Физ. ин-т им. П. Н. Лебедева
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Парицкий, Л. Г. |
Опубликовано: | М. , 1962 |
Физические характеристики: |
11 с. ; 23 см
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr27881130000 | ||
005 | 20070522150417.0 | ||
010 | # | # | $d Беспл. |
021 | # | # | $a RU $b [62-71364] |
100 | # | # | $a 20070522d1962 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Исследование процессов прилипания носителей тока и кинетики примесной фотопроводимости, полупроводников $e Автореферат дисс. на соискание учен. степени кандидата физ.-мат. наук $f Акад. наук СССР. Физ. ин-т им. П. Н. Лебедева |
210 | # | # | $a М. $d 1962 |
215 | # | # | $a 11 с. $d 23 см |
345 | # | # | $9 200 экз. |
700 | # | 1 | $a Парицкий $b Л. Г. |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070522 $g psbo |