|
|
|
|
|
00000cam0a22000001ib4500 |
| 001 |
BY-NLB-rr27867770000 |
| 005 |
20230216132425.0 |
| 010 |
# |
# |
$b В пер.
$d 2 р.
|
| 021 |
# |
# |
$a RU
$b [77-83616]
|
| 100 |
# |
# |
$a 20071221d1977 y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 200 |
1 |
# |
$a Физические процессы в облученных полупроводниках
$f [В. В. Болотов, А. В. Васильев, Н. Н. Герасименко и др.]
$g АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников
$g Отв. ред. проф. Л. С. Смирнов
|
| 210 |
# |
# |
$a Новосибирск
$c «Наука». Сиб. отд-ние
$d 1977
|
| 215 |
# |
# |
$a 256 с.
$c ил.
$d 21 см
|
| 300 |
# |
# |
$a Списки лит. в конце глав
|
| 345 |
# |
# |
$9 2200 экз.
|
| 610 |
0 |
# |
$a Полупроводники - Дефекты
|
| 610 |
0 |
# |
$a Полупроводники - Действие ионизирующих излучений
|
| 675 |
# |
# |
$a 537.311.322:539.1.04
|
| 701 |
# |
1 |
$a Болотов
$b В. В.
|
| 702 |
# |
1 |
$a Смирнов
$b Л. С.
$g Леонид Степанович
$4 340
|
| 711 |
0 |
2 |
$a Институт физики полупроводников. Новосибирск
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20071221
$g psbo
|
