|
|
|
|
|
00000cam2a22000003ij4500 |
| 001 |
BY-NLB-rr27834770000 |
| 005 |
20170613111905.0 |
| 010 |
# |
# |
$d 2 р. 10 к.
|
| 100 |
# |
# |
$a 20071221d1978 y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a|||||||000yy
|
| 200 |
1 |
# |
$a Физика сильнолегированных полупроводников и теория фазовых переходов
$e [сборник статей]
$f главный редактор Н. Г. Басов
$g [ответственный редактор тома Б. М. Вул]
|
| 210 |
# |
# |
$a Москва
$c Наука
$d 1978
|
| 215 |
# |
# |
$a 156, [1] с.
$c ил.
$d 26 см
|
| 225 |
2 |
# |
$a Труды Физического института имени П. Н. Лебедева
$f Академия наук СССР
$v т. 104
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография в конце статей
|
| 345 |
# |
# |
$9 1500 экз.
|
| 461 |
# |
1 |
$1 001BY-NLB-br31207
$1 2001
$v Т. 104
|
| 675 |
# |
# |
$a 537.311.322+536.42
|
| 702 |
# |
1 |
$3 BY-NLB-ar2272344
$a Басов
$b Н. Г.
$g Николай Геннадьевич
$c доктор физико-математических наук
$f 1922—2001
$4 651
|
| 702 |
# |
1 |
$3 BY-CNB-a567818
$a Вул
$b Б. М.
$g Бенцион Моисеевич
$c доктор физико-математических наук, физик
$f 1903—1985
$4 340
|
| 711 |
0 |
2 |
$3 BY-NLB-ar3293066
$a Физический институт имени П. Н. Лебедева
$c Москва
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20071221
$g psbo
|
