|
|
|
|
|
00000cam0a22000001ib4500 |
| 001 |
BY-NLB-rr27826870000 |
| 005 |
20170731101528.0 |
| 010 |
# |
# |
$b В пер.
$d 2 р. 90 к.
|
| 021 |
# |
# |
$a RU
$b [87-67068]
|
| 100 |
# |
# |
$a 20071221d1987 y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 200 |
1 |
# |
$a Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями
$f [Р. Х. Акчурин, Д. Г. Андрианов, Л. С. Берман и др.]
$g Под ред. В. И. Фистуля
|
| 210 |
# |
# |
$a М.
$c Металлургия
$d 1987
|
| 215 |
# |
# |
$a 230, [1] с.
$c ил.
$d 22 см
|
| 300 |
# |
# |
$a Авт. указаны на обороте тит. л. - Библиогр.: с. 223-231 (288 назв.)
|
| 345 |
# |
# |
$9 1325 экз.
|
| 610 |
0 |
# |
$a Полупроводники - Дефекты - Влияние примесей
|
| 610 |
0 |
# |
$a Полупроводники - Примеси
|
| 675 |
# |
# |
$a 537.311.322:548.4
|
| 701 |
# |
1 |
$a Акчурин
$b Р. Х.
$g Рауф Хамзинович
|
| 702 |
# |
1 |
$a Фистуль
$b В. И.
$g Виктор Ильич
$4 340
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20071221
$g psbo
|
