Условия образования и особенности выращивания кристаллов в системах Re₂O₃-Al₂ O₃ (Re=Tb, Lu) методом направленной кристаллизации / Г. О. Ширинян, А. Г. Петросян, А. С. Кузанян, К. Л. Ованесян
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Опубликовано: | Аштарак , 1984 |
Физические характеристики: |
24 с.
|
Язык: | Русский |
Серия: |
Препринт
ДСП № ИФИ-84-107 |
Предмет: |
00000cam0a22000001ib4500 | |||
001 | BY-NLB-rr27726540000 | ||
005 | 20150828135501.0 | ||
010 | # | # | $d Б. ц. |
021 | # | # | $a RU $b [85-56312] |
100 | # | # | $a 20071221d1984 y0rusy50 ||||ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a AM |
200 | 1 | # | $a Условия образования и особенности выращивания кристаллов в системах Re₂O₃-Al₂ O₃ (Re=Tb, Lu) методом направленной кристаллизации $f Г. О. Ширинян, А. Г. Петросян, А. С. Кузанян, К. Л. Ованесян |
210 | # | # | $a Аштарак $d 1984 |
215 | # | # | $a 24 с. |
225 | 2 | # | $a Препринт $f АН АрмССР, Ин-т физ. исслед. $v ДСП № ИФИ-84-107 |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 21-23 (29 назв.) |
345 | # | # | $9 150 экз. |
610 | 0 | # | $a Кристаллы - Выращивание |
675 | # | # | $a 548.5 |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20071221 $g psbo |