Рентгеновская топография эпитаксиальных структур полупроводников группы A³B⁵ в пучке СИ ВЭПП-4 / А. А. Васенков, Г. Н. Кулипанов, Ю. М. Литвинов и др.
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Опубликовано: | Новосибирск , 1986 |
| Физические характеристики: |
9 с. : рис.
|
| Язык: | Русский |
| Серия: |
Препр.
86-123 |
| Предмет: |
| 00000cam0a22000001ib4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr25945810000 | ||
| 005 | 20210430104439.0 | ||
| 010 | # | # | $d Беспл. |
| 021 | # | # | $a RU $b [86-86032] |
| 100 | # | # | $a 20071206d1986 y0rusy50 ||||ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Рентгеновская топография эпитаксиальных структур полупроводников группы A³B⁵ в пучке СИ ВЭПП-4 $f А. А. Васенков, Г. Н. Кулипанов, Ю. М. Литвинов и др. |
| 210 | # | # | $a Новосибирск $d 1986 |
| 215 | # | # | $a 9 с. $c рис. |
| 225 | 2 | # | $a Препр. $f Ин-т ядер. физики СО АН СССР $v 86-123 |
| 345 | # | # | $9 290 экз. |
| 606 | 0 | # | $3 BY-NLB-ar24594 $a ПОЛУПРОВОДНИКИ $2 DVNLB |
| 675 | # | # | $a 587.311.322:548.4 |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20071206 $g psbo |