Рекомбинационные процессы в полупроводниках при высоких уровнях возбуждения: [сборник статей] / главный редактор Н. Г. Басов
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Опубликовано: | Москва : Наука , 1981 |
| Физические характеристики: |
143, [1] с. : ил. ; 26 см
|
| Язык: | Русский |
| Серия: |
Труды Физического института имени П. Н. Лебедева
т. 128 |
| Предмет: |
Описание:
- Содержание: Междузонные процессы рекомбинации в полупроводниках при высоких уровнях возбуждения / Г. Н. Галкин Экситоны в полупроводниковых кристаллах при больших уровнях возбуждения / Э. Л. Нолле