Радиационное дефектообразование в кристаллах In As при электронном облучении / Е. Ю. Брайловский и др.
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Опубликовано: | Киев , 1991 |
Физические характеристики: |
25 с. : ил.
|
Язык: | Русский |
Серия: |
Препр.
КИЯИ-91-29 |
Предмет: |
00000nam0a22000001ib4500 | |||
001 | BY-NLB-rr25638310000 | ||
005 | 20140214133042.5 | ||
010 | # | # | $d 8 к. |
100 | # | # | $a 20071203d1991 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a UA |
200 | 1 | # | $a Радиационное дефектообразование в кристаллах In As при электронном облучении $f Е. Ю. Брайловский и др. |
210 | # | # | $a Киев $d 1991 |
215 | # | # | $a 25 с. $c ил. |
225 | 2 | # | $a Препр. $f АН Украины, Ин-т ядер. исслед. $v КИЯИ-91-29 |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 24-25 (13 назв.) |
345 | # | # | $9 160 экз. |
610 | 0 | # | $a Полупроводники - Действие ионизирующих излучений |
675 | # | # | $a 537.311.322:539.1.04 |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20071203 $g psbo |