Принципы построения внешней полупроводниковой памяти для ЭВМ БЭСМ-6 / И. А. Емелин, Л. Н. Емелина, В. В. Муратова и др.
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Опубликовано: | Дубна : ОИЯИ , 1982 |
Физические характеристики: |
4 с.
|
Язык: | Русский |
Серия: |
Объед. ин-т ядер. исслед.
Р11-82-750 |
Предмет: |
00000nam0a22000001ib4500 | |||
001 | BY-NLB-rr25173320000 | ||
005 | 20071203145132.0 | ||
010 | # | # | $d Б. ц. |
021 | # | # | $a RU $b [83-6946] |
100 | # | # | $a 20071203d1982 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Принципы построения внешней полупроводниковой памяти для ЭВМ БЭСМ-6 $f И. А. Емелин, Л. Н. Емелина, В. В. Муратова и др. |
210 | # | # | $a Дубна $c ОИЯИ $d 1982 |
215 | # | # | $a 4 с. |
225 | 2 | # | $a Объед. ин-т ядер. исслед. $v Р11-82-750 |
345 | # | # | $9 500 экз. |
610 | 0 | # | $a Цифровые вычислительные машины - Запоминающие устройства |
675 | # | # | $a 681.327.2 |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20071203 $g psbo |