Особенности заселения верхнего лазерного уровня неодима в полупроводниковых кристаллах γ-La₂S₃ и стеклах La₂S₃·2Ca₂O₃ / А. А. Камарзин, А. А. Мамедов, В. А. Смирнов и др.

Сохранено в:
Шифр документа: М212981,
Вид документа: Книги
Опубликовано: М. , 1982
Физические характеристики: 8 с. : черт.
Язык: Русский
Серия: Препринт № 235
Предмет:
00000cam0a22000001ib4500
001 BY-NLB-rr24330120000
005 20210430103540.0
010 # # $d Б. ц. 
021 # # $a RU  $b [82-83435] 
100 # # $a 20071113d1982 y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Особенности заселения верхнего лазерного уровня неодима в полупроводниковых кристаллах γ-La₂S₃ и стеклах La₂S₃·2Ca₂O₃  $f А. А. Камарзин, А. А. Мамедов, В. А. Смирнов и др. 
210 # # $a М.  $d 1982 
215 # # $a 8 с.  $c черт. 
225 2 # $a Препринт  $f АН СССР. Физ. ин-т им. П. Н. Лебедева. Лаб. физики твердого тела  $v № 235 
300 # # $a Библиогр.: с. 8 (5 назв.) 
345 # # $9 100 экз. 
606 0 # $3 BY-NLB-ar24594  $a ПОЛУПРОВОДНИКИ  $2 DVNLB 
675 # # $a 537.311.322 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20071113  $g psbo