|
|
|
|
|
00000nam0a22000001ib4500 |
| 001 |
BY-NLB-rr23557270000 |
| 005 |
20071112125810.0 |
| 010 |
# |
# |
$d 2 р. 20 к.
|
| 021 |
# |
# |
$a RU
$b [82-78557]
|
| 100 |
# |
# |
$a 20071112d1982 y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 200 |
1 |
# |
$a Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников
$e [Докл. конф., США, 1978 г.]
$f Под ред. Дж. Миза; Пер. с англ. под ред. [и с предисл.] В. Н. Мордковича
|
| 210 |
# |
# |
$a М.
$c Мир
$d 1982
|
| 215 |
# |
# |
$a 264 с.
$c ил.
$d 20 см
|
| 225 |
2 |
# |
$a НФТТ. Новости физики твердого тела
$v Вып. 11
|
| 300 |
# |
# |
$a Перевод изд.: Neutron transmutation doping in semiconductors (New York; London). Библиогр. в конце докл.
|
| 345 |
# |
# |
$9 2100 экз.
|
| 610 |
0 |
# |
$a Полупроводники - Легирование - Сборники
|
| 675 |
# |
# |
$a 621.315.592.002(063)
|
| 702 |
# |
1 |
$a Миз
$b Д. М.
$g Джон М
$4 340
|
| 702 |
# |
1 |
$a Мордкович
$b В. Н.
$4 340
|
| 711 |
0 |
2 |
$a Международная конф. по нейтронному трансмутационному легированию полупроводников, 2-я. Нью Йорк. 1978
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20071112
$g psbo
|
