Монокристаллические слои окиси цинка с собственно-дефектной дырочной проводимостью / А. Н. Георгобиани, Т. В. Бутхузи, Э. Зада-Улы и др.
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Опубликовано: | М. , 1984 |
Физические характеристики: |
6 с., 5 рис.
|
Язык: | Русский |
Серия: |
Физика полупроводников и диэлектриков
Препринт № 235 |
Предмет: |
00000cam0a22000001ib4500 | |||
001 | BY-NLB-rr23350220000 | ||
005 | 20150309093349.0 | ||
010 | # | # | $d Б. ц. |
021 | # | # | $a RU $b [85-10780] |
100 | # | # | $a 20071112d1984 y0rusy50 ||||ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Монокристаллические слои окиси цинка с собственно-дефектной дырочной проводимостью $f А. Н. Георгобиани, Т. В. Бутхузи, Э. Зада-Улы и др. |
210 | # | # | $a М. $d 1984 |
215 | # | # | $a 6 с., 5 рис. |
225 | 2 | # | $a Физика полупроводников и диэлектриков $v Препринт № 235 |
300 | # | # | $a В надзаг.: АН СССР, Физ. ин-т им. П. Н. Лебедева. Библиогр. в конце статьи |
345 | # | # | $9 100 экз. |
610 | 0 | # | $a Цинк, окись |
610 | 0 | # | $a Оптоэлектроника |
675 | # | # | $a 621.383 |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20071112 $g psbo |